Módulo de potência IGBT de alto desempenho 650V

Name: Módulo de potência IGBT de alto desempenho 650V
Availability: InStock

Este módulo de potência apresenta baixa perda de comutação e temperatura de junção de 150 °C. Equipado com substrato de cobre e encapsulamento padrão, oferece excelente dissipação de calor. É particularmente adequado para equipamentos como sistemas de alimentação ininterrupta (UPS), inversores de frequência, servoacionamentos e máquinas de solda. Oferecemos serviços de fornecimento em grandes quantidades para auxiliar os usuários a obterem operação estável e reduzirem os custos de energia.

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Principais destaques do produto

1. Arquitetura Avançada de Chips

Utiliza IGBT com estrutura de corte de campo/porta de vala, projetado pelo fabricante original.

2. Características Mecânicas

dissipação de calor do substrato de cobre

Embalagem padrão industrial

3. Ampla faixa de temperatura e alta confiabilidade

A temperatura de junção operacional atinge 150°C, sendo adequada para ambientes industriais severos.

4. Aplicação típica: Fonte de alimentação ininterrupta

Acionamento do motor Servoacionamento

Máquina de solda elétrica

Por que nos escolher (vantagem diferencial)?

1. Nós desenvolvemos a estrutura de forma independente.

Os parâmetros são realmente confiáveis. Utilizamos IGBTs com estrutura de porta em trincheira/corte de campo, com especificação de 650V/400A. A perda de comutação, a resistência térmica e a corrente de curto-circuito são todos parâmetros reais medidos pela fábrica, e os dados são transparentes e acessíveis.

2. Rastreabilidade de lotes, boa consistência de lotes

O módulo está equipado com um sistema de rastreabilidade de lote de produção, código de data e número de série. A consistência dos parâmetros é alta, atendendo aos requisitos para o fornecimento estável de grandes quantidades de equipamentos industriais.

3. Substrato de cobre com baixa resistência térmica e excelente desempenho de dissipação de calor.

Graças ao design com substrato de cobre, a eficiência de dissipação de calor é alta, permitindo que o dispositivo opere de forma estável a uma temperatura de junção de 150°C por longos períodos.

Especificações dos parâmetros

IGBT, inversor

Valores máximos nominais

Parâmetro	Símbolo	Condições	Valores	Unidade
Tensão coletor-emissor	V _CES	T_vj = 25℃	650	V
corrente contínua do coletor	IC _nom	T_C=90℃ T_{vj máximo} = 175℃	400	A
Corrente de pico repetitiva do coletor	I_CRM	t_p=1 ms	800	A
Dissipação total de potência	P_total	T_C= 25℃ T_{vj máximo}= 175℃	1127	W
tensão de pico entre porta e emissor	V_GES		±20	V

Valores característicos

Parâmetro	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Parâmetro	Símbolo	Condições		Mín.	Tipo.	Máx.	Unidade
coletor-emissor saturação tensão	V_CE(SAT)	V_GE= 15V, I_C= 400 A	T_vj= 25℃ T_vj= 125℃ T_vj= 150℃	- - -	1,50 1,57 1,60	2.0 - -	V
Portão limite tensão	V_GE(th)	I_C=23_mA, V_CE=V_GE, T _vj=25℃		4.0	5,42	7.0	V
coletor-emissor cortar atual	I_GES	V_CE=650 V, V_GE=0 V, Tvj=25℃		-	-	1	mA
Porta-emissor vazamento atual	I_GSE	V_CE=0 V, V_GE=20 V, Tvj=25℃		-	-	400	nA
Ligar atraso tempo	t_vestir)	V_CE= 350 V , I_C= 400 A, V_GE=±15 V, R_G=10 Ω	T_vj= 25℃ T_vj= 125℃ T_vj= 150℃	- - -	0,25 0,23 0,22	- - -	µs
Ascender tempo, indutivo carregar	t_r		T_vj= 25℃ T_vj= 125℃ T_vj= 150℃	- - -	0,85 0,83 0,81	- - -
Desligar atraso tempo, indutivo carregar	t_d(desligado)		T_vj= 25℃ T_vj= 125℃ T_vj= 150℃	- - -	0,40 0,43 0,44	- - -
Cair tempo, indutivo carregar	t_f		T_vj= 25℃ T_vj= 125℃ T_vj= 150℃	- - -	0,16 0,19 0,20	- - -
Ligar energia perda por pulso	E_on		T_vj= 25℃ T_vj= 125℃ T_vj= 150℃	- - -	110 110 110	- - -	mJ
Desligar perda de energia por pulso	E_desligado		T_vj= 25℃ T_vj= 125℃ T_vj= 150℃	- - -	13.1 25.1 32,8	- - -	mJ
SC dados	I_SC	V_GE₌15V,V_CC=350V t_P=10 µs,T_vj=150℃		-	1981	-	A
Térmico resistência, caixa de junção	R_thJC	por IGBT		-	-	0,133	K/W
Temperatura abaixo comutando condições	T_vj op			-40	-	150	℃

Diodo, inversor

Valores máximos de classificação

Parâmetro	Símbolo	Condições	Valores	Unidade
Tensão reversa de pico repetitiva	V_RRM	T_vj= 25°C	650	V
Corrente direta CC contínua	I_F		400	A
Corrente direta de pico repetitiva	I_FRM	tp = 1 ms	800	A

Valores característicos

Parâmetro	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Parâmetro	Símbolo	Condições		Mín.	Tipo.	Máx.	Unidade
Tensão direta	V_F	V _GE= 0 V, I_F = 400 A	T_vj= 25℃ T_vj=125℃ T_vj= 150℃	- - -	1,64 1,40 1,35	2,5 - -	V
Corrente de recuperação reversa de pico	I_RM	V_R = 350 V, I_F = 400 A	T_vj= 25℃ T_vj=125℃ T_vj= 150℃	- - -	12 31 39	- - -	A
Taxa de recuperação	Q_r	V_R = 350 V, I_F = 400 A	T_vj= 25℃ T_vj=125℃ T_vj= 150℃	- - -	0,83 1,43 1,53	- - -	µC
Energia de recuperação reversa por pulso	E_{recomendação}	I_F = 400 A, V_R = 350 V, V_GE = -15 V	T_vj= 25℃ T_vj=125℃ T_vj= 150℃	- - -	0,32 0,90 1,79	- - -	mJ
Resistência térmica, junção-carcaça	R_thJC	por diodo		-	-	K/W
Temperatura em condições de comutação	T_vj _op			-40	-		℃

Módulo

Parâmetro	Símbolo	Condições	Valores	Unidade
tensão de teste de isolamento	V_ISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min	2.7	kV
Material da placa de base do módulo			Cu
Material of Interno Isolamento			Al₂O₃
Módulo de indutância parasita	LS		35	nH
Temperatura de armazenamento	Tstg		-40~125	℃
Torque de montagem para montagem do módulo	M	Parafuso M5 - Montagem conforme aplicação válida observação	2,5~3,5	N·m
terminal conexão torque	M	Parafuso M5 - Montagem conforme as normas vigentes aplicativo observação	2,5~3,5	N·m
Peso	G		200	g