Principais destaques do produto
1. Arquitetura Avançada de Chips
Utiliza IGBT com estrutura de corte de campo/porta de vala, projetado pelo fabricante original.
2. Características Mecânicas
dissipação de calor do substrato de cobre
Embalagem padrão industrial
3. Ampla faixa de temperatura e alta confiabilidade
A temperatura de junção operacional atinge 150°C, sendo adequada para ambientes industriais severos.
4. Aplicação típica: Fonte de alimentação ininterrupta
Acionamento do motor Servoacionamento
Máquina de solda elétrica
Por que nos escolher (vantagem diferencial)?
1. Nós desenvolvemos a estrutura de forma independente.
Os parâmetros são realmente confiáveis. Utilizamos IGBTs com estrutura de porta em trincheira/corte de campo, com especificação de 650V/400A. A perda de comutação, a resistência térmica e a corrente de curto-circuito são todos parâmetros reais medidos pela fábrica, e os dados são transparentes e acessíveis.
2. Rastreabilidade de lotes, boa consistência de lotes
O módulo está equipado com um sistema de rastreabilidade de lote de produção, código de data e número de série. A consistência dos parâmetros é alta, atendendo aos requisitos para o fornecimento estável de grandes quantidades de equipamentos industriais.
3. Substrato de cobre com baixa resistência térmica e excelente desempenho de dissipação de calor.
Graças ao design com substrato de cobre, a eficiência de dissipação de calor é alta, permitindo que o dispositivo opere de forma estável a uma temperatura de junção de 150°C por longos períodos.
Especificações dos parâmetros
IGBT, inversor
Valores máximos nominais
Parâmetro | Símbolo | Condições | Valores | Unidade |
Tensão coletor-emissor | V CES | Tvj = 25℃ | 650 | V |
corrente contínua do coletor | IC nom | TC=90℃ Tvj máximo = 175℃ | 400 | A |
Corrente de pico repetitiva do coletor | ICRM | tp=1 ms | 800 | A |
Dissipação total de potência | Ptotal | TC= 25℃ Tvj máximo= 175℃ | 1127 | W |
tensão de pico entre porta e emissor | VGES | | ±20 | V |
Valores característicos
Parâmetro | Símbolo | Condições | Valores | Unidade |
Mín. | Tipo. | Máx. |
coletor-emissor saturação tensão | VCE(SAT) | VGE = 15V, IC= 400 A | Tvj= 25℃ Tvj = 125℃ Tvj = 150℃ | - - - | 1,50 1,57 1,60 | 2.0 - - | V |
Portão limite tensão | VGE(th) | IC=23mA, VCE=VGE, T vj=25℃ | 4.0 | 5,42 | 7.0 | V |
coletor-emissor cortar atual | IGES | VCE=650 V, VGE =0 V, Tvj=25℃ | - | - | 1 | mA |
Porta-emissor vazamento atual | IGSE | VCE=0 V, VGE=20 V, Tvj=25℃ | - | - | 400 | nA |
Ligar atraso tempo | tvestir) | VCE= 350 V , IC= 400 A, VGE=±15 V, RG=10 Ω | Tvj = 25℃ Tvj= 125℃ Tvj = 150℃ | - - - | 0,25 0,23 0,22 | - - - | µs |
Ascender tempo, indutivo carregar | tr | Tvj = 25℃ Tvj= 125℃ Tvj = 150℃ | - - - | 0,85 0,83 0,81 | - - - |
Desligar atraso tempo, indutivo carregar | td(desligado) | Tvj = 25℃ Tvj= 125℃ Tvj = 150℃ | - - - | 0,40 0,43 0,44 | - - - |
Cair tempo, indutivo carregar | tf | Tvj = 25℃ Tvj= 125℃ Tvj = 150℃ | - - - | 0,16 0,19 0,20 | - - - |
Ligar energia perda por pulso | Eon | Tvj = 25℃ Tvj= 125℃ Tvj = 150℃ | - - - | 110 110 110 | - - - | mJ |
Desligar perda de energia por pulso | Edesligado | Tvj = 25℃ Tvj= 125℃ Tvj = 150℃ | - - - | 13.1 25.1 32,8 | - - - |
SC dados | ISC | VGE=15V,VCC=350V tP=10 µs,Tvj=150℃ | - | 1981 | - | A |
Térmico resistência, caixa de junção | RthJC | por IGBT | - | - | 0,133 | K/W |
Temperatura abaixo comutando condições | Tvj op | | -40 | - | 150 | ℃ |
Diodo, inversor
Valores máximos de classificação
Parâmetro | Símbolo | Condições | Valores | Unidade |
Tensão reversa de pico repetitiva | VRRM | Tvj = 25°C | 650 | V |
Corrente direta CC contínua | IF | | 400 | A |
Corrente direta de pico repetitiva | IFRM | tp = 1 ms | 800 | A |
Valores característicos
Parâmetro | Símbolo | Condições | Valores | Unidade |
Mín. | Tipo. | Máx. |
Tensão direta | VF | V GE= 0 V, IF = 400 A | Tvj = 25℃ Tvj=125℃ Tvj= 150℃ | - - - | 1,64 1,40 1,35 | 2,5 - - | V |
Corrente de recuperação reversa de pico | IRM | VR = 350 V, IF = 400 A | Tvj = 25℃ Tvj=125℃ Tvj= 150℃ | - - - | 12 31 39 | - - - | A |
Taxa de recuperação | Qr | Tvj = 25℃ Tvj=125℃ Tvj= 150℃ | - - - | 0,83 1,43 1,53 | - - - | µC |
Energia de recuperação reversa por pulso | Erecomendação | IF = 400 A, VR = 350 V, VGE = -15 V | Tvj = 25℃ Tvj=125℃ Tvj= 150℃ | - - - | 0,32 0,90 1,79 | - - - | mJ |
Resistência térmica, junção-carcaça | RthJC | por diodo | - | - | K/W |
Temperatura em condições de comutação | Tvj op | | -40 | - | | ℃ |
Módulo
Parâmetro | Símbolo | Condições | Valores | Unidade |
tensão de teste de isolamento | VISOL | RMS, f = 50 Hz, t = 1 min | 2.7 | kV |
Material da placa de base do módulo | | | Cu | |
Material of Interno Isolamento | | | Al2O3 | |
Módulo de indutância parasita | LS | | 35 | nH |
| Temperatura de armazenamento | Tstg | | -40~125 | ℃ |
Torque de montagem para montagem do módulo | M | Parafuso M5 - Montagem conforme aplicação válida observação | 2,5~3,5 | N·m |
terminal conexão torque | M | Parafuso M5 - Montagem conforme as normas vigentes aplicativo observação | 2,5~3,5 | N·m |
Peso | G | | 200 | g |
Característica de saída IGBT, inversor (típico)
IC = f (VCE)
VGE = 15 V
Característica de saída IGBT, inversor (típico)
IC = f (VCE)
Tvj = 150℃
Característica de transferência IGBT, Inversor (típico)
IC = f (VGE)
VCE = 20 V
Perdas de comutação IGBT, inversor (típico)
Eon = f (IC), Edesligado = f (IC),
VGE = ±15 V, RG=10Ω, VCE =350 V
Impedância térmica transiente IGBT, inversor (típico)
ZthJC = f (t)
Característica direta do diodo, inversor (típico)
IF = f (VF)
Diodo de impedância térmica transiente, inversor (típico)
ZthJC = f (t)
Perdas de comutação do diodo, inversor (típico)
Erecomendação = f (IF), RGon = 10 Ω, VCE = 350 V
Título do diagrama de circuito
Descrição do pacote
Unidade: mm
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