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Módulo de potência IGBT para aplicação em conversor de frequência de 650 V e 200 A em encapsulamento padrão

Módulo de potência IGBT para aplicação em conversor de frequência de 650 V e 200 A em encapsulamento padrão

Name: Módulo de potência IGBT para aplicação em conversor de frequência de 650 V e 200 A em encapsulamento padrão
Availability: InStock

Este módulo de potência adota encapsulamento padrão e design com substrato de cobre, especificamente projetado para conversores de frequência, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS), acionamentos de motores e máquinas de solda. Apresenta tensão de ruptura de 650 V, alta capacidade de curto-circuito e temperatura de junção de até 150 °C. É adequado para produção em massa e compatível com os principais circuitos industriais, atendendo facilmente aos requisitos de aplicações industriais comuns.

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Principais destaques do produto

Alta tensão e alta corrente, capacidade de carga estável
Com uma tensão de bloqueio de 650V, uma corrente contínua de 200A e uma corrente de pico de 400A, ele atende a condições de trabalho de alta potência. Alta tolerância a curto-circuito, tornando o equipamento mais seguro.
Baixas perdas e alta eficiência
Utilizando uma estrutura de comporta de vala/sem passagem, a perda de comutação foi testada e calibrada. Apresenta baixa perda e operação mais eficiente do sistema.
Excelente dissipação de calor e longa vida útil.
Ao utilizar um substrato de cobre e uma estrutura de isolamento interna de Al₂O₃, a eficiência de dissipação de calor é alta e o desempenho do isolamento é confiável, garantindo a operação estável do módulo a longo prazo.

Cenário de aplicação: Conversor de frequência

1. Conversor de frequência

2. Fonte de alimentação ininterrupta

3. Acionamento do motor

4. Máquina de solda elétrica

Perguntas frequentes

P1: Quantos dispositivos de energia este módulo suporta?

A: Especificação 650V/200A, adequada para inversores/acionadores de potência de médio a grande porte na faixa de vários milhares de kW.

Q2: Qual é a faixa de temperatura de operação?

A: A faixa de temperatura de junção de trabalho é de -40℃ a 150℃, garantindo uma operação confiável em ambientes industriais de alta e baixa temperatura.

P3: Quais são os recursos de proteção e segurança?

A: Tensão suportável de isolamento de 2,5 kV, distância de fuga de 10 mm, alta capacidade de curto-circuito, confiabilidade em ampla faixa de temperatura, atendendo aos padrões de segurança industrial.

Parâmetros de especificação:

IGBT, inversor

Valores máximos nominais

Parâmetro	Símbolo	Condições	Valores	Unidade
Coletor-eluva vtensão	V_CES	T_vj= 25℃	650	V
CC contínua ccoletor catual	I_C_nom	T_C = 70℃, T_{vj máximo} =150℃	200	A
Repetitivo peak ccoletor catual	I_CRM	tP=1 ms	400	A
Total ppoder ddissipação	P_total	T_C= 25℃, T_{vj máximo}= 150℃	698	W
Portão-eluva peak vtensão	V_GES	-	±20	V

Valores característicos

Parâmetro	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Parâmetro	Símbolo	Condições		Mín.	Tipo.	Máx.	Unidade
tensão de saturação coletor-emissor	V_CE(sat)	V_GE =15V, I_C = 200A	T_vj= 25℃ T_vj= 125℃ T_vj= 150℃	- - -	1,70 2,00 2.10	1.9 - -	V
tensão de limiar de porta	V_GE(th)	I_C =3,2 mA, V_CE = V_GE, T_vj= 25℃		5.0	5,832	6,8	V
resistor de porta interna	R_Giz	T_vj= 25℃		-	2	-	Ω
Corrente de corte coletor-emissor	I_CES	V_CE= 650 V, V_GE= 0V T_vj = 25℃		-	-	0,1	mA
corrente de fuga entre porta e emissor	I_GES	V_CE = 0 V, V_GE = 20 V, T_vj= 25℃		-	-	500	nA
Capacitância de entrada	C_ies	V_CE = 25 V, V^GE = 0V, f = 1 MHz,T_vj= 25℃		-	15000	-	pF
Capacitância de transferência reversa	C_res	V_CE = 25 V, V^GE = 0V, f = 1 MHz,T_vj= 25℃		-	280	-	pF
Tempo de atraso na ativação	t_vestir)	V_CE= 300 V, I_C = 200A, V_GE = ±15 V, R_G =4,7 Ω	T_vj= 25℃ T_vj = 125℃ T_vj = 150℃	- - -	0,106 0,116 0,118	- - -	μs
Tempo de subida, carga indutiva	t_r		Tvj= 25℃ Tvj= 125℃ Tvj= 150℃	- - -	0,103 0,109 0,11	- - -
Tempo de retardo de desligamento, carga indutiva	t_d(off)		Tvj= 25℃ Tvj= 125℃ Tvj= 150℃	- - -	0,165 0,177 0,179	- - -
Tempo de queda, carga indutiva	t_f		Tvj= 25℃ Tvj= 125℃ Tvj= 150℃	- - -	0,084 0,096 0,1	- - -
Perda de energia por pulso ao ativar	E_on		Tvj= 25℃ Tvj= 125℃ Tvj= 150℃	- - -	1,591 3,045 3,442	- - -	mJ
Desativar a perda de energia por pulso	E_desligado		Tvj= 25℃ Tvj= 125℃ Tvj= 150℃	- - -	4,458 5,176 5,37	- - -	mJ
Dados SC	I_sc	V_GE = 15 V,V_CC = 300 V t_P = 10 µs, T_vj = 150℃		-	960	-	A
Resistência térmica, junção-carcaça	R_th_JC	por IGBT		-	-	0,179	K/W
Temperatura em condições de comutação	T_{vj op}			-40	-	150	℃

Diodo, inversor

Valores máximos de classificação

Parâmetro	Símbolo	Condições	Valores	Unidade
Tensão reversa de pico repetitiva	V_RRM	T_v_j=25°C	650	V
Corrente direta CC contínua	I_F		200	A
Corrente direta de pico repetitiva	I_FRM	t_p=1ms	400	A

Valores característicos

Parâmetro	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Parâmetro	Símbolo	Condições		Mín.	Tipo.	Máx.	Unidade
Tensão direta	V_F	V_GE = 0 V, I_F = 200 A	T_vj = 25℃ T_vj= 125℃ T_vj= 150℃	- - -	1,661 1,682 1,651	2,25 - -	V
Corrente de recuperação reversa de pico	I_RM	V_R=300V, I_F=200A, dI_F/dt=5400A/µs	Tvj= 25℃ Tvj= 125℃ Tvj= 150℃	- - -	76 85 89	- - -	A
Taxa de recuperação	Q_r	V_R=300V, I_F=200A, dI_F/dt=5400A/µs	Tvj= 25℃ Tvj= 125℃ Tvj= 150℃	- - -	5.251 6.226 6,455	- - -	µC
Energia de recuperação reversa por pulso	E_{recomendação}	I_F=200A, V_R= 300V, V_GE = -15V	Tvj= 25℃ Tvj= 125℃ Tvj= 150℃	- - -	1,298 2,049 2,382	- - -	mJ
Resistência térmica, junção-carcaça	R_thJC	por diodo		-	-	0,303	K/W
Condições de comutação de temperatura	T_{vj op}			-40	-	150	℃

Módulo

Parâmetro	Símbolo	Condições	Valores	Unidade
tensão de teste de isolamento	V_ISO_L		2.5	kV
Material da placa de base do módulo			Cu
Material de isolamento interno			Al₂O₃
Distância de rastejamento		Terminal para dissipador de calor	10.0	mm
Módulo de indutância parasita	L_s		35	nH
Temperatura de armazenamento	T_stg		−40∼125	∘C
Torque de montagem para montagem do módulo	M	Parafuso M6 - Montagem de acordo com a nota de aplicação válida	3,0 ~ 6,0	N·m
Torque de conexão do terminal	M	Parafuso M5 - Montagem de acordo com a nota de aplicação válida	3,0 ~ 6,0	N·m
Peso	G		163	g