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Módulo IGBT de parada de campo para comporta de vala industrial de alta confiabilidade, 1200 V e 600 A

Módulo IGBT de parada de campo para comporta de vala industrial de alta confiabilidade, 1200 V e 600 A

Name: Módulo IGBT de parada de campo para comporta de vala industrial de alta confiabilidade, 1200 V e 600 A
Availability: InStock

A tensão de bloqueio de energia deste módulo foi aumentada para 1200V. Ele apresenta alta capacidade de curto-circuito e uma temperatura de junção de operação de 150°C. Utiliza um substrato de cobre e encapsulamento padrão, sendo adequado para conversores de frequência, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS), acionamentos de motores e geração de energia solar. Suporta produção em massa e os terminais tipo array podem ser personalizados conforme a necessidade, proporcionando adaptação flexível a diversas topologias de circuito.

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Principais características do produto

1. Projeto de resistência de alta tensão de 1200 V

A tensão de ruptura foi elevada para 1200V, adequada para sistemas industriais de alta tensão, com resistência à tensão estável e forte resistência a choques.

2. Saída de alta potência e alta corrente de 600 A

A corrente contínua nominal é de 600A, e a corrente de pico pode atingir 1200A, atendendo aos requisitos de conversão de frequência de alta potência e cenários de acionamento.

3. Estrutura Avançada de Corte de Campo/Porta de Ranhura

Estrutura Trench Gate + Field Stop, reduzindo a perda de condução, melhorando a eficiência e a confiabilidade da comutação.

4. Monitoramento de temperatura NTC integrado em tempo real

Termistor NTC integrado, que permite o controle preciso da temperatura, melhorando a estabilidade do sistema a longo prazo.

5. Alta capacidade de curto-circuito para maior segurança

Excelente capacidade de corrente de curto-circuito, adequada para cargas industriais pesadas, partidas e paradas frequentes e outros cenários de alta demanda.

6. Placa de base de cobre + Embalagem padrão. Excelente dissipação de calor.

Menor resistência térmica da placa de base de cobre, rápida dissipação de calor, maior vida útil.

7. Operação estável em ampla faixa de temperatura, de nível industrial

Adaptável a ambientes hostis, adequado para uso externo e em instalações industriais.

Cinco razões para escolher a WISEDRV

1. Design original - Qualidade estável e controlável

Módulo IGBT desenvolvido internamente, desde o projeto do chip até a embalagem e os testes, com controle total do processo, garantindo alta consistência e baixa taxa de falhas.

2. Alto desempenho e preço acessível - Fornecimento estável

Alto desempenho, melhor preço, entrega mais rápida e suporte para fornecimento estável de lotes.

3. Testes rigorosos - Garantia confiável

Cada módulo passa por múltiplos testes de confiabilidade, como tensão suportável de isolamento, resistência térmica, características de comutação e ciclos de alta/baixa temperatura.

4. Suporte técnico centralizado

Fornecer soluções de aplicação, sugerir soluções adequadas, orientar no projeto de dissipação de calor e colaborar tecnicamente.

5. Estoque de Produtos - Produção em Massa

Disponibilidade regular de estoque, aceita pedidos em lote e oferece entrega rápida sem atrasar os ciclos do projeto.

Cenários de aplicação aplicáveis

Conversor de Frequência

Fonte de alimentação ininterrupta

Acionamentos de motores

Energia solar

Nossa fábrica e capacidades de produção

1. Linha de produção moderna de embalagens de módulos IGBT.

2. Adoção de estrutura de embalagem padrão industrial.

3. Inspeção completa na saída da fábrica para garantir a consistência do produto.

4. Rigorosa proteção eletrostática e oficina livre de poeira.

5. Equipado com laboratórios de envelhecimento e confiabilidade em altas e baixas temperaturas.

Parâmetros de especificação:

IGBT, inversor

Valores máximos nominais

Parâmetro	Símbolo	Condições	Valor	Unidade
Tensão coletor-emissor	V_CES	T_vj=25℃	1200	V
Corrente direta CC contínua	I_Cnom	T_C=75℃ T_{vj máximo}=175℃	600	A
Corrente direta de pico repetitiva	I_CRM	t_p=1 ms	1200	A
Dissipação total de potência	P_total	T_C=25℃, T_{vj máximo}=175℃	2727	W
tensão de pico entre porta e emissor	V_GES		±30	V

Valores característicos

Parâmetro	Símbolo	Condições		Valor			Unidade
Parâmetro	Símbolo	Condições		MÍN.	Tipo.	MÁX.	Unidade
tensão de saturação coletor-emissor	V_CE(sat)	V_GE = 15 V, I_C = 600 A	T_vj = 25℃ T_vj=125℃ T_vj=150℃	- - -	2.31 2,86 2,98	3 - -	V
tensão de limiar de porta	V_GE(th)	I_C = 23 mA, V_CE = V_GE, T_vj= 25℃		4.0	6.11	7.0	V
Corrente de corte coletor-emissor	I_CES	V_CE = 1200 V ,V_GE = 0 V T_vj= 25℃		-	-	1	mA
corrente de fuga entre porta e emissor	I_GES	V_CE = 0 V, V_GE = 20 V, T_vj = 25℃		-	-	400	nA
Taxa de entrada	Q_G	V_CC = 600 V, I_C = 600 A, V_GE = 15 V		-	3260	-	nC
Tempo de atraso na ativação	t_d(ligado)	V_CE=600V, I_C = 600A, V_GE = ±15V, R_G= 10,0 Ω	Tvj= 25℃ Tvj=125℃ Tvj=150℃	- - -	0,52 0,45 0,43	- - -	μs
Tempo de subida, carga indutiva	t_r		Tvj= 25℃ Tvj=125℃ Tvj=150℃	- - -	0,27 0,29 0,30	- - -
Tempo de retardo de desligamento, carga indutiva	t_d(desligado)		Tvj= 25℃ Tvj=125℃ Tvj=150℃	- - -	1,27 1,33 1,34	- - -
Tempo de queda, carga indutiva	t_f		Tvj= 25℃ Tvj=125℃ Tvj=150℃	- - -	0,51 0,51 0,47	- - -
Perda de energia por pulso ao ativar	E_em		Tvj= 25℃ Tvj=125℃ Tvj=150℃	- - -	174 220 238	- - -	mJ
Desativar a perda de energia por pulso	E_desligado		T_vj= 25℃ T_vj=125℃ T_vj=150℃	- - -	172 175 169	- - -	mJ
Dados SC	I_SC	V_GE =15 V,V_CC= 600 V t_P = 10 µs, T_vj= 150℃		-	2734	-	A
Resistência térmica, junção-carcaça	R_thJC	por IGBT		-	-	0,055	K/W
Temperatura em condições de comutação	T_{vj op}			-40	-	150	℃

Diodo, inversor

Valores máximos de classificação

Parâmetro	Símbolo	Condições	Valor	Unidade
Tensão reversa de pico repetitiva	V_RRM	T_vj=25°C	1200	V
Corrente direta CC contínua	I_F		600	A
Corrente direta de pico repetitiva	I_FRM	t_p=1 ms	1200	A

Valores característicos

Parâmetro	Símbolo	Condições		Valor			Unidade
Parâmetro	Símbolo	Condições		MÍN.	Tipo.	MÁX.	Unidade
Tensão direta	V_F	V_GE = 0V, I_F = 600 A	T_vj= 25℃ T_vj=125℃ T_vj=150℃	- - -	2,34 2,39 2.41	3.0 - -	V
Corrente de recuperação reversa de pico	I_RM	V_R= 600 V, -di_F/dt=631A/µs (T_vj=150°C) I_F= 600 A V_GE=-15 V	Tvj= 25℃ Tvj=125℃ Tvj=150℃	- - -	125 205 228	- - -	A
Taxa de recuperação	Q_r		Tvj= 25℃ Tvj=125℃ Tvj=150℃	- - -	7,70 7,76 7,58	- - -	μC
Energia de recuperação reversa por pulso	E_{recomendação}		Tvj= 25℃ Tvj=125℃ Tvj=150℃	- - -	6,72 19.3 25,5	- - -	mJ
Resistência térmica, junção-carcaça	R_thJC	por diodo		-	-	0,097	K/W
Temperatura em condições de comutação	T_{vj op}			-40	-	150	℃

Termistor NTC

Valores característicos

Parâmetro	Símbolo	Condições	Valor	Unidade
Resistência nominal	R₂₅	T_NTC=25℃	5,00	kΩ
Desvio de R100	\|∆R\|/R	T_NTC= 100°C, R₁₀₀ = 493 Ω	5	%
Valor B	B_25/50	Calculado a partir do valor da resistência em 25℃e 50℃	3375	K
Valor B	B_25/80	Calculado a partir do valor da resistência em 25℃ e 80℃	3411	K
Valor B	B_25/100	Calculado a partir do valor da resistência em 25℃e 100℃	3433	K

Módulo

Parâmetro	Símbolo	Condições	Valores	Unidade
tensão de teste de isolamento	V_ISOL,	RMS, f=0 Hz, t=1,2 s	4,7	kV
Material da placa de base do módulo			Cu
Material de isolamento interno			Al₂O₃
Distância de rastejamento		Terminal para dissipador de calor De terminal para terminal	15.0 13.0	mm
Liquidação		Terminal para dissipador de calor De terminal para terminal	12,5 10.0	mm
Módulo de indutância parasita	L_S		20	nH
Temperatura de armazenamento	T_stg		-40 ~125	℃
Torque de montagem para montagem do módulo	M	Parafuso M5 - Montagem conforme nota de aplicação válida	3,0 ~ 6,0	N·m
Torque de conexão do terminal	M	Parafuso M6 - Montagem conforme nota de aplicação válida	3,0 ~ 6,0	N·m
Peso	G		348	g